Recentemente, a Innosilicon anunciou a assinatura de um acordo de cooperação estratégica com a United Electronics e a Naxinwei. As três partes se concentrarão em sistemas de eletrônica de potência para veículos elétricos e conduzirão conjuntamente o desenvolvimento de produtos inteligentes integrados de nitreto de gálio (GaN).

Os novos produtos inteligentes GaN serão desenvolvidos com base no acúmulo tecnológico das três empresas, oferecendo soluções integradas de acionamento e proteção GaN mais confiáveis, aumentando ainda mais a densidade de potência do sistema. As três partes também colaborarão para promover a industrialização dessas soluções, contribuindo para o desenvolvimento sustentável e a valorização da indústria de veículos elétricos.

A Innosilicon afirmou que, nesta cooperação, as três partes irão aproveitar plenamente suas respectivas vantagens, focando em P&D conjunto e validação de aplicações, superando desafios críticos relacionados a eficiência, confiabilidade e custo, fornecendo soluções inovadoras com desempenho e custo otimizados para clientes do setor. A United Electronics possui vasta experiência em integração de veículos e sistemas, a Naxinwei acumula expertise em chips analógicos de alto desempenho e sinais mistos, enquanto a Innosilicon é especializada em desenvolvimento de dispositivos de potência avançados como GaN. As três empresas trabalharão juntas para construir uma plataforma de inovação colaborativa intersetorial, atendendo às futuras demandas de aplicações de sistemas.

Essa cooperação estratégica marca um passo sólido e crucial na colaboração entre Innosilicon, United Electronics e Naxinwei no campo de eletrônica de potência para veículos elétricos. Como líder em semicondutores de terceira geração baseados em GaN, a Innosilicon possui capacidades avançadas de P&D e fabricação de GaN, e seus GaN automotivos já foram validados e aplicados no mercado automotivo.